技术文章
一、概述
在半导体器件(如MOSFET、JFET等)中,漏源(DS) 和 栅源(GS) 是描述器件电极间电压和电流关系的两个重要概念,通常用 Vds 表示漏源电压,用Vgs表示栅源电压。

二、测试难点
1、MOS管在开关过程中,尤其是半桥电路中,上管电压会随下管开关动作快速跳变,产生高幅值、高频率的共模电压。
2、MOS管开关时会产生强烈的电磁干扰(EMI),普通探头的测量线较长,易成为天线接收干扰信号,导致测量结果出现震荡或噪声。
三、电压探头选择
1、光隔离探头OPLX6000系列
(1)光隔离探头通过光纤传输信号,实现电气隔离,能在全带宽内提供高共模抑制比(通??纱?20dB以上),有效抑制共模干扰,准确捕捉栅极电压(Vgs)等差模信号,避免因共模干扰导致的波形畸变或误判。
(2)光隔离探头的寄生电容极?。ㄍǔT?pF以内),寄生电感也极低,不会引入额外的位移电流或电压振荡,能更真实地反映MOS管开关过程中的电压波形,尤其对于纳秒级开关速度的SiC、GaN MOS管,可避免因探头寄生参数导致的波形失真或过冲。
(3)光隔离探头通过光纤传输信号,不受电磁干扰影响,能在高干扰环境下保持测量精度。
(4)在高压、高功率的MOS管测试场景中,光隔离探头实现测量端与示波器之间的电气隔离,避免因接地回路问题或高压泄漏导致的设备损坏或人员安全风险。
| 型号 | OPLX6015 | OPLX6035 | OPLX6050 | OPLX6080 | OPLX6100 |
| 带宽(-3dB) | 150MHz | 350MHz | 500MHz | 800MHz | 1GHz |
| 上升时间 | ≤2.3ns | ≤1.0ns | ≤0.7ns | ≤0.43ns | ≤0.35ns |
| 终端负载 | 50Ω | ||||
| 输出电压范围 | 0.5V | ||||
| 主机噪声 (Vrms) 典型值 | 0.5mV | 1mV | |||
| 直流精度 | ≤±1% | ||||
| 隔离电压 (DC+Peak AC) | ±60kV | ||||
| 标配衰减器+ 主机延时 | 15.3ns(2 米光纤) | ||||
| 衰减器规格 | OPL6015/OPL6035: 2X、5X、10X、20X、50X、100X 200X、500X、1000X、2000X | ||||
| OPL6050/OPL6080/OPL6100: 5X、10X、20X、50X、100X、200X 500X、1000X、2000X、5000X | |||||
| 供电 | USB TYPE-C 5V(P>=10W) | ||||
| 工作温度 | -10-50℃ | ||||
2、高压差分探头HVP6000系列
(1)HVP6000H 系列高压差分探头是具有浮地测量功能的高压高频差分探头,可测量差分电压7000Vpk,带宽 500MHz。
(2)在线调零技术,调零无需断开被测电路。
(3)全量程偏置电压消除技术,可精准测量纹波电压。
(4)波形低失真测量技术。
| 产品型号 | 峰值 | 带宽 | 精度 |
| HVP6150E | 150V/1500V | DC-100MHz | 1% |
| HVP6350E | 350V/3500V | DC-100MHz | 1% |
| HVP6700E | 700V/7000V | DC-100MHz | 1% |
| HVP6150F | 150V/1500V | DC-200MHz | 1% |
| HVP6350F | 350V/3500V | DC-200MHz | 1% |
| HVP6700F | 700V/7000V | DC-200MHz | 1% |
| HVP6150G | 150V/1500V | DC-350MHz | 1% |
| HVP6350G | 350V/3500V | DC-350MHz | 1% |
| HVP6700G | 700V/7000V | DC-350MHz | 1% |
| HVP6150H | 150V/1500V | DC-500MHz | 1% |
| HVP6350H | 350V/3500V | DC-500MHz | 1% |
| HVP6700H | 700V/7000V | DC-500MHz | 1% |